FDMT800100DC

onsemi

FDMT800100DC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.95mOhm @ 24A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7835 pF @ 50 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieDual Cool™, PowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta), 162A (Tc)
Max. Verlustleistung3.2W (Ta), 156W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-Gehäuse8-Dual Cool™88

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)