FDMS9620S

onsemi

FDMS9620S

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A/10A 8MLP

Obsolet8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs21.5mOhm @ 7.5A, 10V
Basis-TeilenummerFDMS9620
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds665pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A, 10A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-MLP (5x6), Power56

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)