FDMS9600S

onsemi

FDMS9600S

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56

Obsolet8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 12A, 10V
Basis-TeilenummerFDMS9600
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1705pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A, 16A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-MLP (5x6), Power56

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)