FDMS8670S

onsemi

FDMS8670S

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4000 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®, SyncFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 42A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 78W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)