FDMS86520L

onsemi

FDMS86520L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 13.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4615 pF @ 30 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.5A (Ta), 22A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 69W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)