FDMS86369

onsemi

FDMS86369

Analog & Leistungselektronik

FET 80V 7.5MOHM PQFN8

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 65A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2470 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A (Tc)
Max. Verlustleistung107W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-DFNW (5.2x6.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)