FDMS86180

onsemi

FDMS86180

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 151A POWER56

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 67A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6215 pF @ 50 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 370µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C151A (Tc)
Max. Verlustleistung138W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePower56

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)