FDMS8350LET40

onsemi

FDMS8350LET40

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56

Abgekündigt8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.85mOhm @ 47A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16590 pF @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Ta), 300A (Tc)
Max. Verlustleistung3.33W (Ta), 125W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)