FDMS7620S

onsemi

FDMS7620S

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 10.1A, 10V
Basis-TeilenummerFDMS7620
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds608pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.1A, 12.4A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-GehäusePower56

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)