FDMS4D0N12C

onsemi

FDMS4D0N12C

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 67A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6460 pF @ 60 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 370A

Elektrisch

Drain-Source-Spannung120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18.5A (Ta), 114A (Tc)
Max. Verlustleistung2.7W (Ta), 106W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)