FDMS3615S

onsemi

FDMS3615S

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 16A, 10V
Basis-TeilenummerFDMS3615
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1765pF @ 13V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A, 18A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePower56

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)