FDMS2D5N08C

onsemi

FDMS2D5N08C

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 166A POWER56

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 68A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6240 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 380µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C166A (Tc)
Max. Verlustleistung138W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePower56

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)