FDMS2D4N03S

onsemi

FDMS2D4N03S

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN

Obsolet8-PowerSMD, Flat LeadsAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 28A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6540 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolet
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C163A (Tc)
Max. Verlustleistung75W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerSMD, Flat Leads
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6), Power56

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)