FDMS0308CS

onsemi

FDMS0308CS

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 21A, 10V
Basis-TeilenummerFDMS03
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4225 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Ta)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 65W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)