FDMQ86530L

onsemi

FDMQ86530L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP

Aktiv12-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5mOhm @ 8A, 10V
Basis-TeilenummerFDMQ86530
Konfiguration4 N-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2295pF @ 30V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieGreenBridge™ PowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Power - Max1.9W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse12-MLP (5x4.5)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)