FDMJ1023PZ

onsemi

FDMJ1023PZ

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75

Obsolet6-WFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs112mOhm @ 2.9A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDMJ1023
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds400pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A
Power - Max700mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseSC-75, MicroFET

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)