FDME820NZT

onsemi

FDME820NZT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET

Aktiv6-PowerUFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds865 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Max. Verlustleistung2.1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-PowerUFDFN
Hersteller-GehäuseMicroFet 1.6x1.6 Thin

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)