FDME1024NZT

onsemi

FDME1024NZT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET

Aktiv6-UFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDME1024
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A
Power - Max600mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-MicroFET (1.6x1.6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)