FDME1023PZT

onsemi

FDME1023PZT

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Aktiv6-UFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDME1023
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds405pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A
Power - Max600mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-MicroFET (1.6x1.6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)