FDMD86100

onsemi

FDMD86100

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerFDMD86
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2060pF @ 50V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Power - Max2.2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-Power 5x6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)