FDMD8580

onsemi

FDMD8580

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 80V 16A/82A PWR56

Obsolet8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6mOhm @ 16A, 10V
Basis-TeilenummerFDMD85
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5875pF @ 40V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta), 82A (Tc)
Power - Max2.3W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-GehäusePower56

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)