FDMD8560L

onsemi

FDMD8560L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6

Obsolet8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 22A, 10V
Basis-TeilenummerFDMD8560
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs128nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11130pF @ 30V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A, 93A
Power - Max2.2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-Power 5x6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)