FDMD8540L

onsemi

FDMD8540L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 40V 33A 8PWR 5X6

Obsolet8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 33A, 10V
Basis-TeilenummerFDMD8540
Konfiguration2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs113nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7940pF @ 20V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A, 156A
Power - Max2.3W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-Power 5x6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)