FDMD8530

onsemi

FDMD8530

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 35A POWER56

Obsolet8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.25mOhm @ 35A, 10V
Basis-TeilenummerFDMD85
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs149nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10395pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A
Power - Max2.2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-GehäusePower56

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)