FDMD8260L

onsemi

FDMD8260L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER

Obsolet12-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 15A, 10V
Basis-TeilenummerFDMD8260
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs68nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5245pF @ 30V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse12-Power3.3x5

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)