FDMD82100

onsemi

FDMD82100

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER

Obsolet12-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 7A, 10V
Basis-TeilenummerFDMD82
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1070pF @ 50V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse12-Power3.3x5

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)