FDMC89521L

onsemi

FDMC89521L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 8.2A, 10V
Basis-TeilenummerFDMC89521
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1635pF @ 30V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.2A (Ta)
Power - Max1.9W (Ta), 16W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-Power33 (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)