FDMC86261P

onsemi

FDMC86261P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 2.4A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1360 pF @ 75 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta), 9A (Tc)
Max. Verlustleistung2.3W (Ta), 40W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-MLP (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)