FDMC86012

onsemi

FDMC86012

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 23A POWER33

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7mOhm @ 23A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5075 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta)
Max. Verlustleistung2.3W (Ta), 54W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-GehäusePower33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)