FDMC8010DC

onsemi

FDMC8010DC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.28mOhm @ 37A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7080 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Ta)
Max. Verlustleistung3W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)