FDMC7572S

onsemi

FDMC7572S

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 25V 22.5A/40A PWR33

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.15mOhm @ 22.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2705 pF @ 13 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®, SyncFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22.5A (Ta), 40A (Tc)
Max. Verlustleistung2.3W (Ta), 52W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePower33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)