FDMC6890NZ

onsemi

FDMC6890NZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 4A MICROFET 3X3

Abgekündigt6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 4A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDMC6890
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max1.92W, 1.78W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseMicroFET 3x3mm

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)