FDMC6688P

onsemi

FDMC6688P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN

Obsolet8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 14A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7435 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 56A (Tc)
Max. Verlustleistung2.3W (Ta), 30W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)