FDMC6683PZ

onsemi

FDMC6683PZ

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP

ObsoletBulkAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerFDMC66
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7995 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Max. Verlustleistung26W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Hersteller-Gehäuse8-MLP (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)