FDMC510P

onsemi

FDMC510P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 12A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7860 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 18A (Tc)
Max. Verlustleistung2.3W (Ta), 41W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-MLP (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)