FDMC035N10X1

onsemi

FDMC035N10X1

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100

Obsolet8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 5.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2675 pF @ 50 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
Max. Verlustleistung2.3W (Ta), 50W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)