FDMC013P030Z

onsemi

FDMC013P030Z

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET -30

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 14A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5785 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54A (Tc)
Max. Verlustleistung30W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-MLP (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)