FDMC008N08C

onsemi

FDMC008N08C

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8mOhm @ 21A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2150 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 120µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Max. Verlustleistung57W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)