FDMC007N30D

onsemi

FDMC007N30D

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.6mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerFDMC007
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C46A
Power - Max1.9W, 2.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-Power33 (3x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)