FDMC007N08LC

onsemi

FDMC007N08LC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 21A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2940 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 120µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C66A (Tc)
Max. Verlustleistung57W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-Gehäuse8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)