FDMB2308PZ

onsemi

FDMB2308PZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 6MLP

Aktiv6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 5.7A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDMB2308
Konfiguration2 P-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3030pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Power - Max800mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-MLP (2x3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)