FDMA908PZ

onsemi

FDMA908PZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET

Aktiv6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5mOhm @ 12A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3957 pF @ 6 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
Max. Verlustleistung2.4W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-MicroFET (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)