FDMA2002NZ

onsemi

FDMA2002NZ

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

Aktiv6-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDMA2002
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A
Power - Max650mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-MicroFET (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)