FDMA1027P

onsemi

FDMA1027P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 3A 6MICROFET

Aktiv6-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 3A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDMA1027
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds435pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A
Power - Max800mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-MicroFET (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)