FDMA1025P

onsemi

FDMA1025P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

Obsolet6-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 3.1A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDMA1025
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A
Power - Max700mW

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-MicroFET (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)