FDMA037N08LC

onsemi

FDMA037N08LC

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 6A 6WDFN

Aktiv6-WDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs36.5mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds595 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 20µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Max. Verlustleistung2.4W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Hersteller-Gehäuse6-WDFN (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)