FDJ1027P

onsemi

FDJ1027P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC75-6

ObsoletSC-75-6 FLMPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 2.8A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDJ1027
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.8A
Power - Max900mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-75-6 FLMP
Hersteller-GehäuseSC75-6 FLMP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)