FDG6321C-F169

onsemi

FDG6321C-F169

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC70-6

Obsolet6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Basis-TeilenummerFDG6321
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V, 62pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta), 410mA (Ta)
Power - Max300mW

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-70-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)