FDG6316P

onsemi

FDG6316P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC88

Abgekündigt6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 700mA, 4.5V
Basis-TeilenummerFDG6316
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds146pF @ 6V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C700mA
Power - Max300mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-88 (SC-70-6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)