FDG314P

onsemi

FDG314P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 25V 650MA SC88

Obsolet6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds63 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.7V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C650mA (Ta)
Max. Verlustleistung750mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-88 (SC-70-6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)